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BSS127 E6327 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

BSS127 E6327詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 歐姆 @ 16mA，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 8µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：28pF @ 25V

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3

包裝：帶卷 (TR)

• BFC238350622

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 6200PF 1.6KVDC RADIAL

• BSS123LT1G

  FET - 單    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

• C322C152J2G5TA

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 1500PF 200V 5% RADIAL

• C0805C394J4RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 0.39UF 16V 5% X7R 0805

• B41252A568M

  電容器    EPCOS Inc        5600UF 80V 35X45 SNAP IN

• C0805C152K5RACAUTO

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1500PF 50V 10% X7R 0805

• BQ29443DRBR

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    8-VDFN 裸露焊盤    IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8SON

• C322C152J5G5TA

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 1500PF 50V 5% RADIAL

• BFC238350822

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 8200PF 1.6KVDC RADIAL

• B41252A6568M

  電容器    EPCOS Inc        5600UF 50V 22X50 SNAP IN

• C0805C152K5RACAUTO

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1500PF 50V 10% X7R 0805

• BQ29449DRBR

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    8-VDFN 裸露焊盤    IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8SON

• BFC238352303

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.03UF 1.6KVDC RADIAL

• BSS138

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23

• C0805C395K8PACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 3.9UF 10V 10% X5R 0805